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  • 特色工艺

SIC
碳化硅器件(Silicon Carbide)

碳化硅材料具有高导热的材料特性,可在高温环境下正常运作。碳化硅功率器件具有耐高压、高频操作的优势。碳化硅器件可改善系统效率、可靠性,提升系统功率密度,小型化电力电子系统。在高可靠性要求的工业应用、高效电力系统、伺服电源及电力汽车等领域,碳化硅材料比其他新兴材料更具明显优势并被广泛应用。

PE
Inverter

Motor Contorl

Smart Power Grid

Ship &
Vessels

Windmills

UPS

xEV

碳化硅器件特点
  • 碳化硅肖特基二极管具有高耐压、高导热材料特性,具有优异的反向恢复能力,可改善功率损失,提升系统的效率。

  • 碳化硅MOSFET具有高速开关、低导通电阻等特性,在电力电子高频应用中,可以减少导通切换的功率损失,提升整体系统效率


SiC 平台工艺能力

  • 高温离子注入

  • 金属沉积

  • 高温退火

  • 激光退火

  • 深沟槽SiC刻蚀

  • SiC栅氧

  • SiC晶圆减薄

  • 自对准短沟道工艺

  • 高沟道迁移率工艺

  • 零缺陷筛选工艺

Roadmap